北京大学化学与分子工程学院彭海琳团队联合合作者，首次将冷冻电子断层扫描（Cryo‑ET）引入半导体领域，实现在晶圆上对光刻胶进行原位、三维、高分辨率观测，分辨率优于5纳米。研究发现光刻胶聚合物多吸附于气液界面并发生“凝聚缠结”，形成约30纳米团聚颗粒，是潜在缺陷根源。通过提高曝光后烘烤温度与优化显影维持连续液膜两项措施，成功将12英寸晶圆表面由光刻胶残留引发的图案缺陷数量降低99%+，为7nm及以下先进制程良率提升提供关键路径