2025年，碳化硅（SiC）产业从6英寸向8英寸加速转换。意法半导体、芯联集成、罗姆、安森美等厂商计划在今年实现8英寸SiC晶圆量产。在电动汽车800V高压平台普及推动下，“800V+SiC”成为高端车型标配。SiC器件凭借高能效、耐高温、高频等特性，在主驱逆变器、车载充电与高压快充等环节优势显著；同时，氧化镓（Ga2O3）等第四代半导体材料也开始崭露头角，理论损耗仅为硅的约1/3000，为未来功率器件提供新路径