芯德半导体自主研发的FOCT‑L埋入式桥接扇出式高性能芯片互联封装工艺完成全流程技术验证。该工艺通过微米级硅桥（Si‑Bridge）在芯片边缘关键区域构建高密度互连通道，互连密度较传统封装提升5倍以上，信号传输距离缩短至毫米级；以本地硅桥阵列替代单片硅中介层，实现“化整为零”的模块化设计，单中介层可集成2LSI芯片，支持2500mm²超大封装面积，TMV插入损耗<0.3dB/mm，有效解决光刻拼接误差难题，为国产超大算力芯片*提供核心封装支撑